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臺(tái)式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析

發(fā)布時(shí)間:2022-12-01 點(diǎn)擊量:932

臺(tái)式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析


在硅襯底上生長(zhǎng)
的長(zhǎng)排列的 CNT 薄膜(CNT 長(zhǎng)度約為 2 mm)的橫截面 SEM 圖
 

粉狀碳納米管

 這是一款緊湊型CNT合成裝置,在MPCNT-Basic版本的基礎(chǔ)上進(jìn)行了擴(kuò)展,增加了燈絲加熱機(jī)構(gòu)和多氣體引入機(jī)構(gòu)等優(yōu)良功能。不僅是乙醇原料,還有乙炔氣、甲烷氣等碳?xì)浠衔镌蠚怏w、H2還原氣體的導(dǎo)入口,可以生產(chǎn)垂直排列的CNT和粉末型CNT。

 通過燈絲加熱機(jī)制對(duì)催化劑前驅(qū)體進(jìn)行預(yù)熱升華,可以將催化劑原位負(fù)載在基體或載體(Si、石英、陶瓷等)上,原則上無(wú)需單獨(dú)的催化劑制備過程。 . 換言之,它是在同一裝置中同時(shí)實(shí)現(xiàn)催化劑形成和CNT生產(chǎn)的獨(dú)立的CNT合成裝置。

 此外,這種燈絲加熱機(jī)制具有促進(jìn)碳納米管生長(zhǎng)的作用,使得生成長(zhǎng)度可達(dá)數(shù)毫米的長(zhǎng)碳納米管成為可能。生產(chǎn)的碳納米管比其他公司的碳納米管產(chǎn)品(不包括AIST的超生長(zhǎng)碳納米管)長(zhǎng)幾十到幾百倍,具有高導(dǎo)電性和增強(qiáng)效果的特點(diǎn)。

沉積在Ni顆粒表面的石墨烯(核殼結(jié)構(gòu))的拉曼光譜

當(dāng)在乙醇或烴氣氣氛中升華催化劑前體的同時(shí)加熱基板和催化劑載體時(shí),
催化劑負(fù)載在基板或載體的表面上,同時(shí)CNT生長(zhǎng)。


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目的 :一種低成本的桌面 CVD 系統(tǒng),可輕松合成垂直排列的 CNT 和石墨烯薄膜。
特征 :
  •  乙醇和烴類氣體可任意切換

  •  標(biāo)準(zhǔn)配備輻射溫度計(jì),用于監(jiān)控加熱器的溫度

  •  基板加熱器可以快速加熱和冷卻(幾秒鐘內(nèi)),使其成為石墨烯沉積的理想選擇。

  •  配備催化劑前驅(qū)體加熱升華機(jī)構(gòu)

  •  可生長(zhǎng)粉末型和垂直排列型CNT

  •  可生產(chǎn)1g/lot以上的粉末型CNT

  •  可以生長(zhǎng)長(zhǎng)達(dá)數(shù)毫米的長(zhǎng)碳納米管




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